传三星2021年拟砸10万亿韩元,扩产内存、芯片代工

三星电子预料明年景气将复苏,据传要增加DRAM、NAND Flash、芯片代工产能,准备借此冲刺市场占有,扩大和竞争对手的差距。

韩国时报报道,美系资产组合经理人23日表示:“(增产理由是)明年全年DRAM、NAND将严重短缺,带动价格和获利复苏。”他说,三星正与零件供应商讨论,准备下单。据了解三星DRAM的每月芯片产能将增加3万片、NAND增加6万片、芯片代工增加2万片。

增加产能主要在三星韩国平泽(Pyeongtaek)工厂。三星第3季财报会议表示,内存芯片库存回到合理水位,接到更多高利润的服务器订单,预料市况将出现“有意义的逆转”(meaningful turnaround)。NH Investment分析师Do Hyun-woo说:“三星会积极生产NAND内存,不过将对DRAM维持保守态度。由于芯片代工芯片将短缺,明年三星至少会对平泽厂和美国德州奥斯汀厂投资10万亿韩元。”

资产组合经理人透露:“一般认为三星不会大幅增加内存的芯片产能,以免重蹈2018年覆辙,这次的上行循环,(三星)增产做法将更理性。三星调整策略,可能是要趁数字变化、供给收紧时,抢下更大市场占有。”

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