三星电子预料明年景气将复苏，据传要增加DRAM、NAND Flash、芯片代工产能，准备借此冲刺市场占有，扩大和竞争对手的差距。
韩国时报报道，美系资产组合经理人23日表示：“（增产理由是）明年全年DRAM、NAND将严重短缺，带动价格和获利复苏。”他说，三星正与零件供应商讨论，准备下单。据了解三星DRAM的每月芯片产能将增加3万片、NAND增加6万片、芯片代工增加2万片。
增加产能主要在三星韩国平泽（Pyeongtaek）工厂。三星第3季财报会议表示，内存芯片库存回到合理水位，接到更多高利润的服务器订单，预料市况将出现“有意义的逆转”（meaningful turnaround）。NH Investment分析师Do Hyun-woo说：“三星会积极生产NAND内存，不过将对DRAM维持保守态度。由于芯片代工芯片将短缺，明年三星至少会对平泽厂和美国德州奥斯汀厂投资10万亿韩元。”
资产组合经理人透露：“一般认为三星不会大幅增加内存的芯片产能，以免重蹈2018年覆辙，这次的上行循环，（三星）增产做法将更理性。三星调整策略，可能是要趁数字变化、供给收紧时，抢下更大市场占有。”