台积电2nm制程重大突破 最快2023年可量产

台积电在近将年可谓是在芯片界愈创愈勇,据最新消息指,其已在2nm工艺上取得一项重大的内部突破,更有指最快2023年就能步入量产阶段,并在其后继续研发1nm工艺。

据报道,台积电已在2nm工艺上取得一项重大的内部突破,其放弃延续多年的FinFET,甚至不使用GAAFET,即纳米线(nanowire),而是将其拓展成为MBCFET纳米片(nanosheet),大大改进电路控制,降低漏电率。台积电并无公布研发2nm制程所需研发成本,但根据Samsung在研发5nm制程时公布的4.8亿美元(约港币37亿元),实际应大大超出此数字。

据市场估计,其2nm工艺有望在2023年下半年进行风险性试产,并在2024年步入量产阶段。对此,台积电表示,2nm的突破将再次拉大与竞争对手的差距,并在其后继续研发1nm工艺。台积电预计,Apple、Qualcomm、NVIDIA、AMD等都有望率先采用其2nm工艺。

发表评论