上周在中国国际进口博览会现场，半导体设备巨头ASML展出可用于7纳米以上先进制程的深紫外曝光机DUV。
据中国媒体消息指出，虽然目前极紫外曝光机，俗称EUV光刻机仍受美国技术封锁而无法出口，但ASML保证DUV就完全没有问题，尤其是浸润式DUV，并不需要向美国申请出口许可。经多重曝光后，浸润式DUV也能达7纳米制程的门槛，甚至更进一步。
这令中芯等中国企业似乎有解套法，且ASML会场更提供完整解决方案，拥有先进控制能力的机台将能通过建模、仿真、分析等技术，让边缘定位精度不断提高，深受市场瞩目。ASML全球副总裁暨中国区总裁沉波受访时表示，公司对向中国出口光刻机持相当开放的态度，在法律法规框架下，都会全力支持。
ASML目前已在中国创建培训中心，培养相关人才，深圳和北京也有两家技术开发中心，专门开发技术，已提供中国近700多台各式产品。此次若真能提供适用7纳米制程以上DUV可谓相当大的突破。因理论上，DUV通常只能用到25纳米。
英特尔虽然通过特别的技术用在10纳米制程，但几乎已是极限。DUV的深紫外光波长近193纳米，虽然通过液体浸润多重曝光后，的确能缩小线距，但要与EUV的13.5纳米波长等效，成本及良率恐怕都会很难看，这也是当初为何台积电毅然选择投入设备非常昂贵的EUV技术。
不过ASML似乎提出可行解答，技术细节如何尚不清楚，虽然预期性能仍不太可能胜过EUV，不过对中国而言，成本昂贵本来就不是问题，生产能力才是首要，后续发展值得关注。
（首图来源：ASML）