中国EUV封锁有解?ASML推7纳米制程DUV

上周在中国国际进口博览会现场,半导体设备巨头ASML展出可用于7纳米以上先进制程的深紫外曝光机DUV。

据中国媒体消息指出,虽然目前极紫外曝光机,俗称EUV光刻机仍受美国技术封锁而无法出口,但ASML保证DUV就完全没有问题,尤其是浸润式DUV,并不需要向美国申请出口许可。经多重曝光后,浸润式DUV也能达7纳米制程的门槛,甚至更进一步。

这令中芯等中国企业似乎有解套法,且ASML会场更提供完整解决方案,拥有先进控制能力的机台将能通过建模、仿真、分析等技术,让边缘定位精度不断提高,深受市场瞩目。ASML全球副总裁暨中国区总裁沉波受访时表示,公司对向中国出口光刻机持相当开放的态度,在法律法规框架下,都会全力支持。

ASML目前已在中国创建培训中心,培养相关人才,深圳和北京也有两家技术开发中心,专门开发技术,已提供中国近700多台各式产品。此次若真能提供适用7纳米制程以上DUV可谓相当大的突破。因理论上,DUV通常只能用到25纳米。

英特尔虽然通过特别的技术用在10纳米制程,但几乎已是极限。DUV的深紫外光波长近193纳米,虽然通过液体浸润多重曝光后,的确能缩小线距,但要与EUV的13.5纳米波长等效,成本及良率恐怕都会很难看,这也是当初为何台积电毅然选择投入设备非常昂贵的EUV技术。

不过ASML似乎提出可行解答,技术细节如何尚不清楚,虽然预期性能仍不太可能胜过EUV,不过对中国而言,成本昂贵本来就不是问题,生产能力才是首要,后续发展值得关注。

(首图来源:ASML)

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