继三星后,SK海力士宣布2021下半年采EUV生产1a纳米制程DRAM

根据海外媒体报道,荷兰曝光机生产大厂艾司摩尔(ASML)是目前全世界唯一生产极紫外光曝光设备(EUV)的厂商,用于先进半导体制程,也就是7纳米以下制程扮演关键性角色,包括台积电及三星都用来生产先进处理器(CPU)及绘图芯片,另外三星也用在内存DRAM制造。为了追上三星脚步,韩国另一家内存大厂SK海力士(SK Hynix)也宣布,预计自2021下半年开始量产采EUV技术的DRAM。

报道指出,日前SK海力士高层就表示,计划2021下半年开始,在韩国利川厂区新设的M16产线采用EUV曝光设备生产第四代,就是1a纳米制程DRAM产品。M16产线预计2020年底建造完成,2021上半年开始导入制造设备并装机,目前实验室正在准备,预计2021下半年开始量产。

对内存来说,与CPU逻辑制程一样,近年来面临制程需微缩的问题。如果使用EUV曝光技术,可减少多重曝光过程,提供更细微的制程精度与良率,进一步减少产品生产时间并降低成本,还可提高性能。只是EUV曝光设备每部单价近1.5亿欧元,初期投资成本较深紫外光曝光设备(DUV)高许多,因此会让厂商考虑再三。

报道进一步指出,相较SK海力士将在2021年量产采用EUV技术打造的DRAM,全球内存龙头三星都开始以EUV技术生产DRAM。之前三星发布的LPDDR5 16Gb DRAM就是采用EUV技术生产,带宽为6400MHz,相较LPDDR5 12Gb DRAM速度快16%。

全球3大DRAM供应商中,就只剩美商美光(Micron)尚未采用EUV技术。台湾美光董事长徐国晋与媒体见面时,就表示美光没有采用EUV的计划,因以现有微影设备配合其他制程,可达到一样的效果。随着技术精进与市场需求,美光会否改变态度,有待后续观察。

(首图来源:Flickr/Kimber JakesCC BY 2.0)