业界传出，台积电又再拿下大单，将代工博通（Broadcom）与特斯拉（Tesla）共同研发的高性能计算芯片（HPC）。
消息指出，此单将会以台积电7纳米制程投片，且值得注意的是，将采用台积电InFO等级的系统单芯片（System-on-Wafer，SoW）技术，能将HPC芯片在不需要基板及PCB情况下直接与散热模块集成成单一封装，是今年才刚量产的最新技术。此案预计第四季开始生产，初期将先投约2,000片。
针对HPC基板上芯片上芯片封装制程（CoWoS），台积电今年已经推出支持5纳米逻辑单芯片及2.5倍光罩尺寸（Reticle）中介层（Interposer），并可做到5层金属层（Metal layers）及深沟槽晶体管（DTC）的程度，最高能搭载6颗HBM2e内存。明年还将更进一步，做到3倍光罩尺寸中介层，并支持搭载最多8颗内存。
而这次博通为特斯拉打造的ASIC芯片据传将成为未来新款电动汽车的核心处理器，将用于实现真正自驾能力的重要合作项目，每片12英寸芯片约只能切割出25颗芯片而已，是利用路线重分布（RDL）技术将电源等多颗芯片进行连接，并直接贴合在散热模块上，预期明年第4季将进行大规模量产。
业界表示，虽然目前先进封装技术也是竞争激烈，但如三星在芯片制造上之线宽微缩已落后于台积电，整体实力评估，可能只有英特尔开发的EMIB先进封装技术能够与之比肩。但如今英特尔7纳米制程出现问题，且主要仍以IDM为主的情况下，无法如台积电一般广泛供应给其他高端芯片商，基本上台积电封装技术应会成为市场主流。
（首图来源：台积电）