台积电5纳米下半年将强劲增长，3纳米预计2022年量产，并已研发2纳米，工研院产科国际所研究总监杨瑞临认为，台积电制程5年内将称霸芯片代工业，3D封装是新挑战。
全球芯片巨头英特尔（Intel）7纳米制程进度延迟，并可能发布委外代工订单；同时，手机芯片厂高通（Qualcomm）也传出5纳米处理器可能自三星（Samsung）转由台积电代工生产，让台积电制程领先地位成为市场近期关注焦点。
台积电继7纳米制程于2018年领先量产，并在强效版7纳米制程抢先导入极紫外光（EUV）微影技术，5纳米制程在今年持续领先量产，下半年将强劲增长，贡献全年约8%业绩。
台积电3纳米制程技术开发顺利，将沿用鳍式场效晶体管（FinFET）技术，预计2022年下半年量产，台积电有信心3纳米制程届时仍将是半导体业界最先进的技术。
为确保制程技术持续领先，台积电2019年已领先半导体产业研发2纳米制程技术，台积电目前尚未宣布量产时间，不过，依台积电每2年推进一个时代制程技术推算，2纳米有望于2024年量产。
杨瑞临分析，尽管台积电2纳米制程将自过去的FinFET技术，改采环绕闸极（GAA）技术，台积电2纳米制程仍有望维持领先地位，以目前情况看来，台积电制程技术将再称霸芯片代工业至少5年。
只是制程微缩技术即将面临物理瓶颈，且价格成本越来越高，杨瑞临说，3D堆栈先进封装技术将更趋重要，相关设备与材料问题都有待解决，这也是台积电的新挑战。
杨瑞临表示，台积电在先进封装领域着墨多时，自2016年推出InFO封装技术后，至2019年已发展至第5代集成型扇出层叠封装技术（InFO-PoP）及第2代集成型扇出暨基板封装技术（InFO_oS），并开发第5代CoWoS。
此外，台积电开发系统集成芯片SoIC，以铜到铜结合结构，搭配硅导孔（TSV）实现3D IC技术，将提供延续摩尔定律的机会。
杨瑞临认为，台积电在先进封装领域仍将领先对手三星。外资并预期，先进封装将是台积电筑起更高的技术与成本门槛，拉大与竞争对手差距的关键。
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