三星先进技术研究院（Samsung Advanced Institute of Technology，简称SAIT）研发出新的半导体材料──“非晶质氮化硼”（amorphous boron nitride，简称a-BN），有望让次世代半导体加速现身。
三星官网6日新闻稿称，SAIT、韩国蔚山国家科学技术研究院（Ulsan National Institute of Science and Technology）、英国剑桥大学，合力发现了新材料a-BN，该结果刊载于知名科学期刊《Nature》。
SAIT致力于发展2D材料，也就是只有一层原子的晶体材料。该机构持续研究石墨烯，在石墨烯晶体管以及如何制作大型单晶的芯片级石墨烯方面，完成了破天荒的研究成果。
SAIT石墨烯计划主管和主要研究员Hyeon-Jin Shin说：“为了加强石墨烯和以硅为基础半导体制程的兼容性，要在半导体基板上生成芯片级石墨烯，必须在摄氏400度以下的低温进行。”
新发现的材料名为a-BN（见下图），从白色石墨烯淬链而出，内部的氮和硼原子成六角形排列，但是分子结构与白色石墨烯相当不同。a-BN介电常数（dielectric constant）极低，只有1.78，并有强大的电子和机械特质，能作为隔绝材料，让电子干扰最小化。a-BN有望广泛用于DRAM、NAND内存，特别是大型服务器的次世代内存解决方案。
（Source：三星）