韩国半导体公司SK Hynix在其官方博客发布了将于2020年内开始量产DDR5内存芯片的信息，并强调DDR5具有更高的资料传输性能，以及更低的电力消耗等特色，能满足多核心运算与高性能计算的使用需求，并强化大数据、AI、机器学习等应用场景的效率。
SK Hynix于2018年11月，成功开发充16Gb DDR5 DRAM内存芯片，并符合JEDEC固态技术协会（JEDEC Solid State Technology Association）制定的标准。接着SK Hynix也于日前表示将于2020年开始量产DDR5内存芯片，并持续研发DRAM技术，以更高性能与可靠度的产品引领下一代半导体。
SK Hynix DRAM产品企划负责人Sungsoo Ryu表示，在5G、自动驾驶汽车、AI、AR、VR、大数据等应用引领的第4次工业革命中，DDR5内存可在次世代高性能运算（High Performance Computing，HPC）与以AI为基础的数据分析中扮演关键角色。DDR5内存能够将存储密度提高到每个颗粒16Gb甚至24Gb，对于服务器应用来说相当具有竞争优势。
SK Hynix也表示随着处理器核心数的上升，4、6核心处理器甚至是服务器用的64核心处理器都越来越普及，而随着核心数增长，系统对内存带宽的需要也随之增加。
回顾先前从DDR3过渡到DDR4时，每个DIMM插槽的带宽从1600Mbps增长至2133Mbps，增幅为33%，而在研发DDR5时，SK Hynix直接将目标定在4800Mbps，也就是说与DDR4的3200Mbps相比有50%00Mbp增益，而长期目标则放在DDR4的2倍，也就是说下波目标将会是带宽为6400Mbps的DDR5内存，最终甚至有望将带宽推升至8400Mbps。
SK Hynix将于2020年投入DDR5内存量产。（图片来源：SK Hynix。标题图与下同）
相较于DDR4，DDR5有速度更快、容量密度更高等优势。
为了提高内存的访问性能，DDR8采用由8个Bank Group组成的32 Bank（可以单独激活/停用的存储单元）架构，比DDR4由4个Bank Group组成的16 Bank架构，多出1倍的访问可用性（Access Availability）。而DDR5的Burst Length（DRAM单个读/写指令可以访问的资料量）从DDR4的8增加到16，也是增加性能的关键功能。
不同于DDR4在更新（Refresh）时无法执行其他操作，DDR5则通过Same Bank Refresh功能，让系统可以在更新某些Bank的时候，访问其他Bank的资料，另一方面DDR5也通过决策反馈等化器（Decision Feedback Equalization，DFE）消除噪声，以增加整体性能表现。
在电力消耗部分，DDR5的工作电压为1.1V，低于DDR4的1.2V，能降低单位带宽的功耗达20%以上。
DDR5不但具有更高的性能，电力效率也更加出色。
根据市场研究公司International Data Corporation提供的调查报告，DDR5的需求预计从2020年开始增长，并可在2021年夺下DRAM市场的22%，到2022年增长至43%，而个人计算机、消费性产品也应该会跟随服务器的步调，逐渐转从DDR4过渡至DDR5。