智能手机的运算能力越来越高，下载速度也越来越快，存储芯片的读写速度也需要配合，方可以发挥每个环节的最高性能。日前Samsung就宣布开始大规模投产512GB的eUFS 3.1存储芯片，它的特点就是其读写速度较上一代更快。
Samsung表示512GB的eUFS 3.1存储芯片，连续写入速度将超过1,200MB/s，比起现在相同容量eUFS 3.0存储芯片的400MB/s，速度快达3倍。同时512GB的eUFS 3.1存储芯片的随机读写表现为100,000 / 70,000 IOPS，也较eUFS 3.0的产品快60%。Samsung指新存储芯片只需90秒就能完成100GB的文件传输，旧款要4分钟以上，特别适合用于存储8K高分辨率视频。
有指Samsung可能会将512GB的eUFS 3.1存储芯片，率先应用于下半年的旗舰手机Galaxy Note 20系列；之后Samsung还会陆续生产和供应128GB和256GB的eUFS 3.1存储芯片。
来源：helpnetsecurity