根据海外科技媒体《anandtech》的报道指出，全球芯片代工大厂GlobalFoundries（格芯）于27日宣布，该公司已经已经完成了22FDX（22纳米FD-SOI）的技术开发，而这项技术未来将投入嵌入式磁阻非易失性内存（eMRAM）的生产。
报道指出，eMRAM这种新时代的内存综合了RAM内存、NAND Flash闪存的优点，除了新型非易失性存储介质在断电后不会失去数据，而且写入的速度还数千倍于NAND Flash闪存，因此可以用于兼做内存和硬盘等用途，甚至集成两者的用途。另外，还有一项关键因素，那就是eMRAM对生生产机制程的要求不高，成品良率也比较高，这就可以使制造商更简单的控制成本，使得最后产品的价格不会高得离谱。
报道进一步指出，当前在市场上除了格芯外，另外还有包括英特尔、IBM、TDK、三星、希捷(SEAGATE) 等科技大企业多年来也一直都进行着eMRAM的研究。对此，格芯表示，使用其22FDX制程技术所生产的eMRAM测试芯片已经完成，在错误检查与纠正(Error Correcting Code;ECC) 的测试下，自-40°C到125°C的工作温度间，具有10万个周期的耐久性和10年的数据保持能力。
另外，格芯还指出，其所生产出的eMRAM测试产品目前已经通过标准的可靠性测试，包括LTOL（168小时）、HTOL（500小时）和5x焊料回流，故障率<1ppm，而生产中的的磁抗扰性问题也得到了有效解决。而格芯接下来将在德国德勒斯登的12英寸Fab 1芯片厂进行22FDX制程技术来生产eMRAM，而格芯所生产的eMRAM已经有多个客户预计使用。
(首图来源:格芯官网)