韩存大厂SK海力士(SK-hynix) 宣布，已经与Xperi Corp旗下的子公司Invensas签订新的专利与技术授权协议，未来将可以使用Invensas的DBI Ultra 2.5D/3D连接技术，使得目前在半导体发展上的两大发展领域-微缩(miniature) 及异质集成(Heterogeneous integration) 能获得更进一步发展。
SK海力士表示，DBI Ultra是一种专利的裸片，也就是在芯片上借由混合键合的连接技术，使得在此裸片上达到每平方毫米的面积里容纳10万个到100万个连接开孔，孔间距最小只有1微米的大小，相比每平方毫米最多只有625个连接开孔的传统铜柱连接技术，新的技术可大大提高传输带宽。
另外，DBI Ultra使用化学键合来连接不同的连接层，不需要铜柱和底层填充，因此不会增加芯片的厚度，从而大大降低整体堆栈高度，预计可将8层堆栈提升到到16层堆栈，以获得更大容量。而且，在使用新技术制程的情况下，产品的良率因为不需要进行高温的流程，使得其产品的良率相较过去有更好的表现。
SK海力士还强调，和其他下一代的连接技术类似，DBI Ultra也同样支持2.5D、3D集成封装，还能集成不同尺寸、不同技术制程的IP模块。因此，不但可用来生产DRAM、3DS、HBM等内存，也可用于高集成度的CPU、GPU、ASIC、FPGA、SoC等产品的制造上。例如在3D集成解决方案上，在上方可以是4到16层堆栈的HBM，下方则是连接了CPU、GPU、FPGA、SoC等逻辑运算单元。这对于未来在设计手持终端产品上，有大大节省空间的好处。
不过，目前SK海力士还未透露将会把DBI Ultra技术运用在什么样的产品上。但是，依照市场的推测，以SK海力士的技术特长来说，显然用于DRAM、HBM上将会是最佳的选择。
(首图来源:Flickr/Kimber JakesCC BY 2.0)