Samsung第三代HBM2E内存Flashbolt现身

高性能内存走向2个极端,其一为注重时脉速度的GDDR,另外一种则是注重总线宽度的HBM。Samsung Electronics近日发布Flashbolt内存,为自家第三代HBM2E,单针脚传输速度冲上3.2Gbps,单颗堆栈8个16Gb颗粒,总容量来到16GB。

JEDEC在上个月更新HBM2技术配置,JESD235C将单针脚速度提升至3.2Gbps,其余重大配置相对JESD235B没有太多变动,最大单一晶粒容量维持2GB、每个堆栈最多可以容纳12个晶粒、单一堆栈对外总线界面宽度为1024bit、电压1.2V等。

随着JEDEC JESD235C配置更新,Samsung Electronics于近日发布Flashbolt内存,为自家第三代HBM2E内存,单针脚传输速度已达规范最高速度3.2Gbps,单一堆栈采用8个16Gb晶粒,如此单一堆栈即可提供16GB容量,相当惊人!(HBM2E与HBM2 3.2Gbps是一样的东西,只是Samsung和JEDEC的称呼不同。)

Samsung Electronics近日发布旗下第三代HBM2E内存,单针脚传输速度达3.2Gbps,并通过堆栈8个16Gb晶粒,让单一堆栈拥有16GB容量。

Flashbolt与前一时代Aquabolt除了传输速度上的不同(Flashbolt:3.2Gbps、Aquabolt:2.4Gbps),单一堆栈容量也倍增(Flashbolt:16GB、Aquabolt:8GB),除了能够让高性能运算芯片获取更大的访问带宽,也可以执行更为复杂的任务。

Flashbolt HBM2E内存采用1y制程制造,每个晶粒含有5600个以上的TSV(Through Silicon Via、硅穿孔),用以相互连接传输信号,8个晶粒堆栈拥有超过4万个TSV。此外这次Samsung Electronics仅宣布8-Hi堆栈版本,JEDEC标准最高可达12-Hi,因此不排除未来也会有单一堆栈容量达24GB版本问世。另一方面,Samsung Electronics Flashbolt HBME2除了支持JEDEC标准速度3.2Gbps,该公司新闻稿还提到支持4.2Gbps,让单一堆栈对外带宽从410GB/s跃升至538GB/s,提升31.22%左右。

Samsung Electronics Flashbolt HBM2E采用自家1y制程制造,除了能够支持JEDEC标准3.2Gbps,甚至还能够超频至4.2Gbps。

Samsung Electronics表示Flashbolt HBM2E将于2020上半年开始进入量产阶段,这个时间点相当微妙,为AMD RDNA2和NVIDIA Ampere架构产品推出前夕,高性能运算卡版本采用的可能性相当高,但是显卡内存超过一定容量之后,对于游戏没有太大帮助,因此零售市场不太可能见到采用HBM2E内存的产品。

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