随着内存市场价格止跌回温，加增至好未来市炒需求激增，韩国内存大厂三星计划在2020年进行扩产，预计在中国西安与韩国平泽厂区投入17万亿韩元的资金，预计每月增加总计11.5万片内存芯片产出。
根据韩国媒体《ETnews》报道，三星这次扩产计划，重点将放在NAND Flash闪存，而非DRAM。原因在于NAND Flash闪存的市场价格回温速度要优于DRAM，再加上竞争对手目前在NAND Flash闪存也较少扩产，因此选择NAND Flash闪存为主要扩产项目。
报道表示，三星此次的扩产计划，预计在NAND Flash闪存增加每月6.5万片芯片产能，全部集中在中国西安厂。DRAM方面则增加5万片，分别是平泽1厂增加2万片，平泽2厂增加3万片。整体来说，中国西安厂第2阶段已于2019上半年投产。该厂区除了购买新设备，三星还计划将韩国京畿道华城Line 16生产线的设备迁移西安第2阶段工厂。韩国平泽2厂将自2020年2月开始装机，目标是预定2020下半年开始生产。
目前三星资本支出约17万亿韩元，中国西安厂支出约9.5万亿韩元，韩国平泽厂区投资为6.5万亿韩元。值得注意的是，这次整个投资比重，三星着重在NAND Flash闪存胜于DRAM。对此，报引导用韩国半导体企业说法，三星对NAND Flash闪存较DRAM更积极，源自目前三星在NAND Flash闪存的库存已到正常水位。
各项研究报告数据都指出，预计2020下半年受益于5G手机大量推出，使内存使用将大幅提升，也使内存供货吃紧。三星2020年开始提升内存产能扩展，连带影响全球半导体设备企业，为了三星积极扩厂计划而供应设备。
（首图来源：三星）