TrendForce 内存存储研究（DRAMeXchange）指出，NAND Flash 市场经历2018 年全年供过于求，2019 年在笔记本、智能手机、服务器等主要需求表现难见起色下，预计产能过剩难解，因而使得供应商进一步降低资本支出以放缓扩产进程，避免增长过多导致过剩状况加剧。
根据DRAMeXchange 调查指出，2018 年因供过于求难以遏制，韩系供应商带头降低资本支出，NAND Flash 总体资本支出下调近10%，但仍无法反转供需失衡情形，2019 年转为美系厂商减少资本支出，使得NAND Flash 整体资本支出较2018 年持续下滑约2%，总支出规模约为220 亿美元。
受到供应商调整扩产计划影响，尽管各供应商已于2018 年第四季起量产92 / 96 层3D NAND，但直至2019 年底将仅占约32% 比特产出，而64 / 72 层的产出占比仍有超过50%，供应商放缓制程的推进，造成2019 年NAND Flash 比特增长将仅约38%，相比2018 年超过45% 水准明显下降。
观察各供应商产能调整，DRAMeXchange 指出，三星持续减产2D NAND 产能，加上92 层制程消耗更多的厂房空间，2019 年运转产能将较2018年底下调，比特产出增长率降至约35%，由于三星全球市场占有率约三成，三星比特产出增长率的放缓对全球产出增长影响较大；SK 海力士、东芝／威腾分别有M15 以及Fab 6的新厂扩建，但同样受到减产计划或转产旧制程的影响，产出年增长率有机会低于原先预期，SK 海力士和东芝／威腾原先比特产出增长率预估值分别约为50% 与40% 水准，但我们预期会各自下修到50% 以下，以及约35% 的水位，以反映今年市场需求的急冻；美光的新加坡新厂则要等到2020 年才正式量产，因此全年产能几乎维持不变；英特尔则除了填满大连厂产能，并无宣布其他扩产规划，美光与英特尔阵营2019 年整体比特产出增长接近40% 水准，相较2018 45% 以上的增长幅度明显收敛。
从2019 年NAND Flash 价格走势来看，DRAMeXchange 指出，由于原厂在各产品线的合约价报价跌幅，皆明显高于我们原先的预期，显示原厂正面临庞大的库存压力。因此，NAND Flash 2019 年第一季市场均价季度跌幅度可能从原先估计的10%，一举提高至20% 水准，第二季报价可能将续跌将近15%，下半年虽有旺季需求注资，跌幅可望略微收敛，但各季价格跌幅仍将维持在10% 左右水准，端看原厂是否能再进一步降低自身产出水位。综上所述，DRAMeXchange 认为，今年旺季若仍无足够需求动能支撑，NAND Flash 市场均价跌幅则可能扩大至 50% 水准，近乎腰斩。