当笔记本电脑充电时，占了桌边一部分空间的变压器，是不少人的困扰。英飞凌推出的电源解决方案CoolGaN 600 V增强型HEMT和氮化镓驱动IC EiceDRIVER，以氮化镓（GaN）取代原本的硅材，由于具备体积小、高功率的特性，不仅解放了空间，未来将广泛运用在服务器、通信、无线充电等领域。
该技术11月于慕尼黑电子展亮相，12月进入量产。而英飞凌是市场上唯一提供硅（Si）、碳化硅（Sic）、氮化镓（GaN）等全系列功率产品的供应商。
氮化镓耐高温个性，减少了周边散热设备，产品比一般变压器整整小了快一半。
耐高压高温，氮化镓省下双北10.7%用电
英飞凌预估，氮化镓研发技术已经趋于成熟，跟硅材相比，若尽数换用，可帮全美数据中心省下38.5亿千瓦小时，相当于台北市与新北市年用电量的10.7%，省下的电力换算碳排放量相当于315.7万吨，不仅能省下研发费用，还能兼顾环保，在功率半导体中可说是后起之秀。
5G商业化与汽车走向智能化的趋势，带动第三代半导体材料——碳化硅与氮化镓的发展。拓扑行业研究院指出，相较目前主流的硅芯片，碳化硅及氮化镓除了耐高电压的特色外，也适合在高频的环境下操作。
英飞凌指出，氮化镓集成电路的开关速度快，且又耐高温，不仅可使芯片面积大幅减少，并能简化周边电路的设计，以及减少冷却系统的体积，使开发材料成本大幅降低。
英飞凌大中华区资深营销经理陈清源表示，虽然目前氮化镓的价格比硅还高，但因硅不耐高压高频，若要升级势必得再增加周边组件，他预估：“以三、五年来看，整体成本不见得比氮化镓便宜。”而目前CoolGaN产品采用六寸芯片制程，未来将往八寸迈进，成本也可望降低。
氮化镓商机破10亿美元，各大厂竞逐
根据2018年4月由HIS Market，Technology Grouop所公布的调查指出，未来10年氮化镓产品的商机，将超过10亿美元，为了不让功率半导体龙头英飞凌专美于前，其他厂商也加入战局。
今年8月，氮化镓功率组件厂GaN Systems Inc.与功率半导体厂Rohm合作，加速开发新一代功率组件；美国麻省理工学院、德州仪器、韩国三星、日本东芝、日本松下也都在积极研发，2017年东芝甚至还公开氮化镓的制程，展现其技术。