处理器大厂英特尔（Intel）近日宣布芯片代工业务（IFS）将与硅知识产权Arm合作，让Arm架构的手机处理器及其他产品可在其代工厂生产，剑指霸主台积电。不过，业内表示，台积电拥有量产及良率稳定性、客户黏着度高、技术领先等优势，主要客户大单仍紧抓在手，英特尔的野心恐怕是“雷声大雨点小”。
根据英特尔规划，Intel 18A采用RibbonFET GAA架构，目标2024年下半年投产。未来公司计划以Intel 18A制程代工Arm芯片，市场解读，此举是为了赢得高通（Qualcomm）、联发科等手机芯片客户青睐，甚至进一步争取苹果订单，以瓜分台积电在高端手机芯片的市场占有率。
目前业界普遍不看好英特尔的野心能够实现。首先以技术层次来看，芯片制造将从FinFET（鳍式场效晶体管）转往GAA（环绕闸极技术）架构，其中，三星抢先在3纳米时代导入GAA技术，但至今无法解决良率问题，尚未看到实质的客户、订单放量，反而让台积电3纳米制程接单更为稳固。
更更谈不上，英特尔过去六年在制程推进上一再延误，就连采用FinFET架构的先进制程都搞不定了，想要在2024年量产GAA制程，可说是“越级打怪”。业界分析，芯片生产最重视量产规模及稳定性，若把重要新品押注在充满不确定性的制程上，风险相当高，再加上，英特尔自有产品有跟客户竞争疑虑，未来客户愿不愿意冒险下单，必须打个大问号。
相较之下，台积电拥有庞大的芯片代工产能，在少量生产多样化的产品经验丰富，可充分满足客户需求并灵活调配产能，以精确掌握交期与各种变量，让客户产品能够准时上市。反观英特尔过去向来是大量少样，相对没有弹性，如果客户往下一个制程时代走时，也无法像台积电可以迅速找到其他客户递补而上。
台积电在2纳米进展上，公司位于新竹宝山的第一座2纳米厂（phase1，P1）预计2025年底进入量产，业界推测估计实际放量时间将在2026年，将首度采用GAA架构，隔年拟推出采用背面供电网络（BSPDN）技术的N2P（暂定）制程。市场认为，尽管英特尔、三星都发下豪语要在先进制程领域超车台积电，但两家厂商均面临制程卡关或良率问题，并不至于构成威胁。
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