在日前的第70届IEEE国际固态电路会议 (ISSCC) 期间，韩国内存大厂SK海力士展示了最新300层堆栈第8代3D NAND Flash闪存的原型，令与会者大吃一惊。SK海力士在会议在发布会的标题订为“高密度内存和高速接口”，其中描述了该公司将如何提高固态硬盘的性能，同时降低单个TB的成本。预计，新的3D NAND Flash闪存将在两年内上市，并有望打破纪录。
根据外媒报道，SK海力士揭示了具有更快资料传输量和更高存储等级的第8代3D NAND Flash闪存的开发。而新的第8代3D NAND Flash闪存将提供1 TB（128 GB） 存储容量，具有20Gb/mm² 单位容量、16KB单页容量、四个平面和2400 MT/s的接口。最大资料传输量将达到194 MB/s，相较上一代238层堆栈和164 MB/s传输速率的第七代3D NAND Flash闪存高出18%。而在更快的输入和输出速度下，有助于PCIe 5.0 x4或更高的接口利用率。
而根据SK海力士研发团队的说法，第8代3D NAND Flash闪存采用了5项崭新的技术。首先，三重验证程序 (TPGM) 功能可缩小单元阈值电压分布，并将tPROG （编程时间） 减少10%，从而转化为更高的性能。其次，采用Adaptive Unselected String Pre-Charge (AUSP) 技术，再将tPROG降低约2% 。第三，APR方案可将读取时间降低约2%，并缩短字线上升时间。第四，编程虚拟串 (PDS) 技术可借由降低信道电容负载来缩短tPROG和tR的界线稳定时间。最后，平面级读取重试 (PLRR) 功能，允许在不终止其他平面的情况下，更改平面的读取级别。之后，立即发出后续读取命令，并提高服务质量 (QoS)，从而提高读取性能。
报道强调，由于SK海力士针对新产品还在开发中，因此该公司尚未透露生产最新一代3D NAND Flash闪存的量产时间。尽管如此，分析师仍预计该公司最早会在2024年出现变化，最迟在2025年出现。
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