因来自电动汽车（EV）的需求旺，日本三菱电机（Mitsubishi Electric）将砸千亿日元、盖新厂，增产碳化硅（SiC）功率半导体，对功率半导体业务的设备投资计划将倍增。
三菱电机14日宣布，将增产SiC功率半导体，主因EV用需求旺，带动市场预估将呈现急速增长。三菱电机将投资约1,000亿日元，在熊本县菊池市的现有工厂厂区内兴建新厂房，该座新厂将导入8英寸SiC芯片产线，预计2026年4月激活生产，三菱电机并将扩张位于熊本县合志市的工厂的6英寸芯片产能。
日媒指出，借由上述增产投资，2026年度时，三菱电机SiC芯片产能将扩张至2022年度的约5倍水准。
三菱电机指出，包含上述投资计算，2021-2025年度的5年期间，该公司对功率半导体业务的设备投资计划合计将达2,600亿日元，投资规模将较原先计划值（1,300亿日元）倍增。
半导体制造工程可大致分为在硅芯片上形成电路的“前段制程”和进行组装、封测等的“后段制程”，而三菱电机上述位于熊本县的2座据点皆属于“前段制程”据点。在“后段制程”部分，三菱电机计划投资约100亿日元在“Power Device Manufacturer（位于福冈市）”内兴建新厂房。
日媒报道，根据法国调查公司Yole指出，2021年三菱电机SiC功率半导体全球市场占有率排第6，在日厂中、仅次于位居第四位的Rohm。富士电机、东芝也挤进全球前10大之列，龙头厂为瑞士STMicroelectronics。
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