英特尔公司自营半导体工厂 – 英特尔代工服务宣布，其2纳米级的英特尔20A和1.8纳米级的英特尔18A代工节点已经完成开发，并有望在其路线图日期量产芯片。预计英特尔20A节点的芯片将于2024年上半年开始量产，而英特尔18A节点的芯片预计将于2024年下半年开始量产。
开发阶段的完成意味着英特尔已经敲定了节点的规格和性能/功率目标，以及制造芯片所需的工具和软件，现在可以开始订购物料以构建节点。
直到2022年，英特尔一直在对这些节点进行测试，随着规格的最终确定，芯片设计者可以相应地结束其产品的开发，以配合这些节点所能提供的服务。
英特尔20A（或20-angstrom，或2纳米）节点引入了带有PowerVIAs（一种有助于提高晶体管密度的互联创新）的全门（GAA）RibbonFET晶体管。英特尔20A节点据称比其前身英特尔3节点（FinFET EUV，3纳米级）具有15%的性能/瓦特提升，其本身比英特尔4节点具有18%的性能/瓦特提升（比目前的英特尔7节点具有20%的性能/瓦特提升），该节点即将进入大规模生产。
英特尔18A节点是对英特尔20A的进一步完善，对RibbonFET进行了设计改进，在规模上提高了晶体管密度，据称比英特尔20A有10%的性能/瓦特提升。