特斯拉刚结束的投资人日虽然没有任何新车动态，引发市场的失望声浪，但他宣布要在下一代电动汽车平台上缩减75%的碳化硅（SiC）用量，却成了业界最关注的消息。对此，TrendForce认为，未来电动汽车主逆变器将可能朝SiC/Si IGBT的混合封装发展，同时，SiC MOSFET的技术可能将由Planar结构转向Trench结构。
特斯拉会在这次投资人大会中提到未来将减用SiC计划，TrendForce分析，应该与SiC可靠性以及供应链的稳定性确实令其信心不足有关，特别是过去几年中曾因此出现过Model 3召回事件，当时官方的说法是“后电机逆变器功率半导体组件可能存在微小的制造差异，其中部分车辆使用一段时间后组件制造差异可能会导致后逆变器发生故障，造成逆变器不能正常控制电流”，这里指向的正是SiC组件。
另一方面，SiC基板材料紧缺的状况，一直令车厂头痛，也是整个SiC供应链发展的难题。尽管Wolfspeed、英飞凌、意法半导体等主要厂商正在大举扩展产能，特斯拉一方面也可能是寻求多样化供应商方案，以防备供应链风险。
然而，不可否认的是，SiC依旧是电动汽车制造商未来必须考虑的核心零部件，而这里指涉的厂商当然也包含特斯拉。考虑到技术变革所带来的影响，TrendForce认为，特斯拉下一代电动汽车主逆变器可能做出SiC与Si IGBT的混合封装调整，这是工程设计层面的颠覆性创新，但充满挑战。
同时，TrendForce也认为，特斯拉下一代电动汽车关键SiC MOSFET技术可能将由Planar结构转向Trench结构，目前以英飞凌、罗姆、博世为Trench SiC MOSFET主要供应商。上述技术的改变将大幅缩减SiC成本，降低整车系统复杂性与成本，进而推动SiC在中低端车型中的渗透，但可能会对Si IGBT造成一定冲击。
作为电动汽车用SiC市场的最大风向标，特斯拉种种动向都牵动业界的发展，然而由于特斯拉仅公布下一代电动汽车平台计划，并未针对推行时机或细节有更进一步消息，因而对SiC产业的整体影响仍需持续观察。
（首图来源：特斯拉）