意法半导体（ST）今日创新半导体材料设计制造公司Soitec联手宣布宣布下一阶段的碳化硅（SiC）基板合作计划，ST准备于18个月内完成Soitec碳化硅基板技术产前认证测试。此次合作目标为ST采用Soitec的SmartSiC技术制造未来8英寸碳化硅基板，促进碳化硅组件与模块制造之业务，这项技术有望在中期实现并量产，以支持汽车电动化并提高工业系统性能。
ST表示，SmartSiC为Soitec独家技术，此技术能从高品质的碳化硅供体芯片上切出一个薄层，并将其黏合到待处理之低电阻多晶硅芯片片表面，而加工后的基板便能提高芯片的性能及制造良率；优质的碳化硅供体芯片也可多次重复使用，大幅降低供体加工的总能源消耗。而从6英寸升级至8英寸芯片，能够大幅增加产能，制造集成电路的可用面积几乎是增加一倍，每个芯片上的有效出片量为升级前的1.8至1.9倍。
意法半导体汽车和离散组件部总裁Marco Monti指出，汽车和工业客户正在加速推动系统及产品电动化，升级至8英寸SiC芯片将为其带来巨大益处，产品产量提升对于推动规模经济非常重要。为此，ST选择利用垂直集成的制造模式，而与Soitec技术合作目标旨在持续提升制造良率和品质。
（首图来源：ST）