日本半导体IDM大厂罗姆（Rohm）传出将在12月开始量产碳化硅（SiC）功率半导体，有望将电动汽车（EV）续航距离提高1成，目标是夺下全球3成市场占有率。
日经新闻、共同通信25日报道，Rohm将在12月下旬开始正式量产次世代功率半导体产品，其使用的材料不是现行的硅（Si）、而是使用SiC，将能提升EV的续航距离。
据报道，Rohm已在今年春天在位于日本福冈县筑后市的主力工厂内完成专用厂房的兴建，当前并完成设备的搬入作业，将在12月正式进行量产，且Rohm将在2025年度结束前对SiC功率半导体最高投资2,200亿日元，抢攻全球3成市场占有率，目标在2025年度将SiC相关业务营收提高至1,100亿日元，将达2021年度的7倍水准。
据报道，功率半导体使用于EV逆变器等用途，用于把从电池流向马达的电力从直流电转换成交流电，而在进行转换时、会发生电力耗损，不过和硅制产品相比、SiC的耗损更小，以Rohm的产品为例、可将EV续航距离提高1成。
根据Yahoo Finance的报价显示，截至28日上午10点08分为止，Rohm小涨0.09%至11,150日元、表现优于东证股价指数（TOPIX）的下跌0.92%。
（首图来源：科技新报）