世界先进0.35微米650 V氮化镓制程,正式量产

芯片代工大世界先进今日宣布,领先8英寸0.35微米650 V新基底高电压氮化镓制程(GaN-on-QST)已于客户端完成首批产品系统及可靠性验证,正式量产,为特殊集成电路制造服务领域首家量产此技术的公司。

2018年,世界先进公司以Qromis基板技术(QST TM)开发8英寸QST基板0.35微米650 V GaN-on-QST制程,今年第一季开发完成,第四季成功量产,同时和海内外集成组件制造(IDM)厂及IC设计公司合作。

QST基板相较以硅(Si)为基板,具与氮化镓磊晶层更匹配的热膨胀系数(CTE),制程堆栈氮化镓时,也能降低翘曲(warpage)破片,更有利量产。世界先进0.35微米650 V GaN-on-QST制程能与既有8英寸硅芯片机台设备开发与生产能配合使用,以达最佳生产效率及良率。

世界先进透露,客户端系统验证结果,世界先进氮化镓芯片于快充市场应用,针对65W以上快充产品,系统效率达世界领先水准。基于QST基板的良好散热特性,整体快充方案性能,世界先进的氮化镓芯片有更优良的散热表现。

首席运营官尉济时表示,世界先进身为特殊集成电路制造服务的领导厂商,不仅提供客户更优秀的集成电路设计,也协助提升客户产品的竞争力。

世界先进0.35微米650 V GaN-on-QST制程除了650 V组件,也提供内置静电保护组件(ESD);制程除具备更优异的可靠性与信赖性外,针对更高电压(超过1,000 V)的扩展性,也与部分客户展开合作,以满足客户的产品需求。

(首图来源:世界先进)