美光科技宣布，LPDDR5X移动内存已获高通Snapdragon 8 Gen 2纳入参考设计。Snapdragon 8 Gen 2为高通公司针对旗舰级手机所推出的最新移动平台，参考设计主要用途是供品牌企业展示此芯片组在设计智能手机时的各项优点，美光LPDDR5X也集成在高通Snapdragon 8 Gen 2参考设计中，成为主要架构的一环，持续受到市场青睐。与此同时，此款内存也已量产出货，将有助于第一款内置LPDDR5X的手机达到最高速度。
美光最新推出的LPDDR5X专为高端及旗舰智能手机打造，峰值传输率达8.533Gbps，不仅比前一代产品LPDDR5提升33%，也比去年秋天所支持的7.5 Gbps传输率更能满足高带宽、高数据量用途对高性能移动内存的需求。
美光资深副总裁暨行动业务部总经理Raj Talluri表示：“如今智能手机能实现5G、AI等技术，且能访问大量数据，超高速移动内存的功劳不容小觑，可说是手机创新的幕后英雄。目前美光最高速的LPPDR5X已量产并在全球舖货，将带动行动生态系研发新一代设备以及各类超乎想象的应用。”
去年十一月，美光领先半导体业，运用其率先面市的1α（1-alpha）制程制作出最快、最先进的移动内存LPDDR5X并送样认证，继先前推出业界第一款LPDDR5、1α制程LPDDR4X、176层NAND行动UFS 3.1和uMCP5解决方案之后又下一城。美光将持续推动市场加快采用LPDDR5X，巩固自身产品创新能力及行动生态系领导地位。
高通技术公司产品管理副总裁Ziad Asghar指出：“要想达到Snapdragon 8 Gen 2所标榜的光速上网、动态体验以及划时代性能，性能强悍的高速内存不可或缺。美光LPDDR5X内存可达8.5 Gbps，前所未有的超高速率及能源效率，正能满足高通芯片组所需。”