美国内存厂美光（Micron）决定应对市场环境变化，同步减产动态随机访问内存（DRAM）及存储型闪存（NAND Flash）约20%。法人预期，将有助于内存报价提早落底。
内存市况低迷，海内外内存厂纷纷减产应对，旺宏决定减产20%至25%，华邦电中科厂也将减产3至4成，铠侠（Kioxia）减少NANDFlash产出30%。
美光跟进同步减产DRAM及NAND Flash约20%，并预期2023年DRAM位元供给将自原先预期的增加5%，转为负增长；NAND Flash位元供给增幅也将自原先预期的28%，降为1%至3%。
法人表示，年终备货需求不如预期，内存供应商库存水位持续攀高，美光为避免产业供需过度失衡，才会决定减产。
法人指出，美光DRAM全球市场占有率约23%、NANDFlash市场占有率约12%，铠侠NAND Flash市场占有率约20%，估计两家厂商减产措施将影响全球DRAM供给约4%至5%，影响NAND Flash供给约8%至9%，预期将有助DRAM及NAND Flash报价提早落底。
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