美光宣布跳过EUV将于广岛量产1β制程DRAM,成本优势具竞争力

内存大厂美光 (Mircon) 于2日宣布,开始为特定智能手机制造商与芯片组合作伙伴提供1β(1-beta)DRAM技术的验证样品,全球最先进的DRAM制程节点1β的量产全面就绪。此新时代制程技术将率先用在美光的LPDDR5X行动内存上,最高速度来到每秒8.5 Gb等级,这也是继日前三星发布同样最高速度达到每秒8.5 Gb的LPDDR5X DRAM之后,第二家推出该款产品的厂商,也是首家不采用EUV微影曝光设备就生产1β节点制成的内存厂,成本优势预计将强化其市场竞争力。

美光指出,1β是全球最先进的DRAM制程节点,能显著提高性能、位元密度,并改进功耗,这将带来全面的市场优势。除移动设备外,1β带来的低延迟、低功耗、高性能DRAM,更可支持各种高度回应式服务、即时服务、体验的个性化与脉络化,从智能车辆到数据中心均可受益。这也象征美光自2021年1α (1-alpha) 制程量产以来,市场领导地位再下一城。1β节点降低功耗约15%,提升位元密度超过35%,每颗晶粒容量可达16Gb。

美光技术与产品执行副总裁Scott DeBoer表示,推出1β DRAM代表内存技术又一次飞跃式的创新,这要归功于美光独家的多重曝光微影技术、领先的制程技术,以及先进的材料能力。1β节点带来世界上最先进的DRAM技术,将每内存芯片的位元数提升到史上新高,这也为新一代的技术奠定基础,从边缘到云计算都可善用丰富资料、智能化、并且节能。

美光指出,业界第一的1β节点可将更高的内存容量塞入更小的空间内,从而降低每位元资料的成本。DRAM的进展,向来主要取决于如何在每平方毫米的半导体面积内,提供更多和更快的内存,这就需要缩小电路,将数十亿个内存单元收纳在大约指甲大小的芯片中。几十年来,随着每个制程节点的演进,半导体产业每一两年缩小芯片尺寸缩小一次;然而,随着芯片变得越来越小,在芯片上界定的电路图便需要挑战物理定律的极限。

此外,尽管业界已开始改用新工具极紫外光 (EUV) 设备来克服这些技术挑战,美光仍利用其千锤百炼的先进纳米制造能力与微影技术来跳过尚在新兴阶段的极紫外光技术。这需要应用美光独门的先进多重曝光技术和沉浸式微影能力,以最高精确度做出这些微小的电路特征。节点进一步缩小带来容量提升,可让智能手机和物联网设备等体积较小的设备涵纳更多内存。

美光强调,为了让1β和1α制程发挥竞争优势,美光过去几年也积极推动卓越制造、提升工程技术能力、强化开创性研发。加速创新首先让美光比竞争对手提前一年实现前所未有的1α节点量产,完成公司史上首次在DRAM和NAND两个领域同时居于市场领导地位。多年来,美光投资数十亿美元,将芯片厂转变为先进、高度自动化、由人工智能驱动的永续运营设施。其中,也包括美光对日本广岛厂的投资,广岛厂将以1β制程量产DRAM。

此外,随着机器对机器通信、人工智能和机器学习等能耗使用案例的兴起,节能技术对企业来说益发重要,尤其是希望满足严格的永续发展目标和降低运营费用的企业。研究人员发现,训练一个AI模型的碳排放量是美国汽车 (包含汽车制造过程) 的五倍。此外,到2030年时,通信科技预计将使用全球20%的电力。

因此,互联的世界需要快速、无处不在、节能的内存来推动数字化、优化和自动化;美光的1β DRAM节点便为互联世界的进步打造了灵活好用的基础。使用1β制程的高密度、低功耗内存可在需要大量数据的智慧设备、系统和应用程序之间实现更节能的资料传输,从边缘到云计算也得以更加智能。明年,美光将开始在嵌入式、数据中心、个人计算机、消费电子、工业和汽车领域扩大1β产品组合,包括绘图内存、高带宽内存等。

(首图来源:科技新报摄)