品勋科技×是德科技“氮化镓组件研讨会”,解析第三代半导体GaN创新技术与应用

品勋科技与是德科技将于10/20举办“确保宽能隙半导体GaN氮化镓组件的稳定及可用性并加速其商业化技术研讨会”,特邀讲师包含国立阳明交通大学吴添立教授及宏汭精测林明正总经理。

要加速氮化镓组件商业化、量产化,首先要能实现组件在实际操作状态下的真实动态效果,才能确保组件的稳定及可用性,然而动态测量与动态可靠度分析可帮助组件开发者改善组件、正确评估组件的功率损耗及老化速率。本研讨会特别邀请国立阳明交通大学吴添立教授前来分享高功率高频GaN HEMT最新技术与挑战,尔后将由宏汭精测林明正总经理针对氮化镓组件动态测量进行解析,加速第三代半导体GaN迈向广泛应用。

(首图来源:Shutterstock;数据源:品勋科技)