MRAM技术创新公司Avalanche Technology与半导体芯片代工厂联电13日宣布，推出高可靠度的持续性静态随机访问内存 (Persistent Static Random Access Memory，P-SRAM)。这个备受期待的第三代产品平台构建于Avalanche Technology最新一代自旋转移矩磁性内存 (Spin-Transfer-Torque MRAM，STT-MRAM) 技术以及联电的22纳米制程，相较于现有的非挥发性解决方案，更具高密度、耐用性、可靠度和低功耗的优势。
联电在新闻稿中指出，Parallel x 32系列作为标准产品提供各种密度选项，并具有异步SRAM兼容读/写时序。其数据始终是非挥发性的，并具备领先业界的 1014次写入周期耐久性和1,000年保存期 (在85°C下)。两种密度选项均采用小尺寸142-ball FBGA(15mm×17mm) 封装。这些设备都经由JEDEC认证流程确保宽广的 (-40°C至125°C) 工作温度范围，每项设备在交付给客户前并都经过48小时的老化测试。其他额外认证选项也提供给合作伙伴选择。
Avalanche Technology营销与商务发展副总经理Danny Sabour表示，此次新产品的推出，真正实现了市场对高耐用性、高可靠性和高密度的各项应用需求，且无需外部电池、错误修正代码 (Error-Correcting Code，ECC) 或耗损平均技术。有鉴于如今无所不在的传感设备以及日益升高的资料处理需求推升对耐磨损、高持久性内存的需要，将很快启动进一步提高16Gb单芯片解决方案的开发工作。
联电前瞻发展办公室暨研究发展副总经理洪圭钧表示，联电很高兴与Avalanche Technology这样的技术领导厂商合作，将此独立的内存解决方案投入生产，这是一个重要的里程碑，有助于将坚实且高度可扩展的MRAM解决方案商业化。联电凭借着多样的芯片专工技术和卓越的制造能力，并通过此次与Avalanche Technology的合作，将满足市场对持久性内存不断提升的需求。
Avalanche Technology首席技术官兼技术与芯片专工业务副总经理怀一鸣表示，自2006年起，Avalanche Technology持续专注于开发创新垂直式磁穿隧接面 (perpendicular Magnetic Tunnel Junction，pMTJ) 结构的STT-MRAM技术。以领先业界的pMTJ和CMOS设计为基础，通过我们的合作伙伴联华电，让最先进的高密度和高性能STT-MRAM产品得以问世。
(首图来源：科技新报摄)