美国最近通过2,800亿美元的《芯片与科学法案》（Chips and Science Act，CHIPS Act），限制接受资助的企业未来10年不得扩张或升级中国的先进芯片产能。韩媒体直指，韩国的三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）对此忧心忡忡，担心美国芯片法可能冲击内存投资。
韩国媒体Business Korea 26日报道，美国新通过的法案并未涵盖成熟制程，但法案仅定义成熟芯片指的是28纳米以上制程，未说明究竟是内存芯片或非内存芯片。美国商务部稍晚应会提出更加清楚的定义。
据报道，若法令只针对非内存芯片设限，韩国芯片企业就能安全过关，因为三星、SK海力士都未在中国生产非内存芯片。目前三星在西安有座NAND型闪存厂、在州有座封装厂。SK海力士分别在无锡、大连设有DRAM厂、NAND型闪存厂。
若美国法令同时对内存及非内存芯片设限，SK海力士将受到影响，因为无锡厂生产的是10纳米制程DRAM。三星的风险相对较低，因为对NAND型闪存而言，层数比纳米制程更重要。
（首图来源：shutterstock）