就在市场消息传出芯片代工龙头台积电将在9月份开始量产3纳米 (N3) 制程之后，有来自内部的PPT指出，更先进一步增强版的N3E制程也正在研发之中。而根据台积电之前官方的说法，N3E制程将在N3制程量产后的一年进行量产，而就这张内部PPT的资料显示，虽未标示该PPT的日期，但可以看出N3E的发展顺利，甚至有进度超前的情况。
根据外媒Tomshardware的报道，该张PPT表示，从风险试产的时间点来看，N3E制程的生产的SRAM良率明显高于N3制程。有消息指出，目前N3E的SRAM平均良率约为80%。同样令人印象深刻的是，Mobile和HPC测试芯片的良率也约为80%。还有，经过良率验证的环式振荡器性能优于92%。
报道表示，对于关于N3E制程进展顺利的报道并不感到惊讶，原因是台积电设计的N3E因为将晶体管管密度些微降低，这自然带来了更高良率的优势。另外，N3E制程的其他优势还包括了更好的运算速度，以及更低的功耗产生。
此外，有相关媒体报道，台积电对于过去不在在美国生产3纳米制程的决定，现在可能有了改变。先前的决定是不希望在台湾以外的地区生产先进制程，但是因为近期美国芯片方案完成立法，对于美国政府提供的经费补助，吸引了台积电可能在美国投资第二座芯片厂进行先进制程生产的想法。不过，这样的消息台积电方面并不回应。
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