日前美商内存大厂美光科技 (Micron) 领先业界推出232层堆栈NAND Flash闪存，韩国SK海力士宣布开发完成238层堆栈NAND Flash产品，代表往更高容量发展的NAND Flash技术竞争持续。
SK海力士表示，不久前已向客户送交238层堆栈的三层存储单元 (TLC) NAND Flash样品，预定2023年量产。相较上一代176层堆栈NAND Flash，相同面积芯片容量增加34%，传输速度238层堆栈NAND Flash达2.4Gb，较上一代提升50%，能耗降低20%，以符合对ESG标准的承诺。
SK海力士238层堆栈NAND Flash先供应PC存储设备的SSD，之后提供智能手机和服务器大容量SSD。2023年量产后，除了推出512GB的238层堆栈NAND Flash产品，还将推出1TB的238层堆栈NAND Flash产品，容量增长一倍。
(首图来源：SK海力士)