抢攻需求看旺的电动汽车（EV）商机，日本富士电机（Fuji Electric）传出将大幅增产碳化硅（SiC）功率半导体，计划将SiC产能扩张至现行的10倍，目标夺下全球2成市场占有率。
日经新闻26日报道，富士电机计划在2024年度将使用SiC的次世代功率半导体产能扩张至当前（2020年度）的约10倍水准，主因来自EV等电动化车款的需求预估将扩大。富士电机目前已生产新干线零件用SiC功率半导体，而为了为今后供应给汽车产业使用预作准备、将在日本国内的工厂整备量产体制。目前已有多家企业决定采用富士电机的EV用SiC功率半导体产品。
据报道，富士电机目前已开始生产SiC功率半导体的松本工厂将自2022年度起陆续进行增产，且子公司“富士电机津轻半导体”的工厂内也将导入SiC功率半导体产线、并将在2024年度开始进行量产。富士电机目标在2025年度将SiC功率半导体占半导体业务营收比重提高至10%左右、目标在2025-2026年期间将全球SiC功率半导体市场占有率提高至2成。
报道指出，和现行主流的硅（Si）制产品相比，SiC制产品能承受更高的电压、大幅降低功率耗损，可有助于延长EV续航距离和实现电池小型化。
SiC功率半导体需求旺，2030年估跳增11.8倍
日本市调机构富士经济（Fuji Keizai）5月23日公布调查报告指出，因汽车/电子设备需求扩大，2022年全球功率半导体市场规模（包含硅制产品和碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化镓等次世代功率半导体）预估将年增11.8%至2兆3,386亿日元，且之后市场规模将持续扩大，预估2030年将扩张至5兆3,587亿日元、将较2021年增加1.6倍（增加约160%）。
其中，2022年硅制功率半导体市场规模预估将年增10.0%至2兆2,137亿日元，2030年预估将扩大至4兆3,118亿日元、将较2021年增加1.1倍；2022年SiC等次世代功率半导体市场规模预估将年增58.7%至1,249亿日元，之后市场规模将呈现急速扩大，预估2030年将达1兆469亿日元、突破兆圆大关，将较2021年暴增12.3倍。
就次世代功率半导体的明细来看，2022年SiC功率半导体市场规模（包含SiC-SBD、SiC-FET、SiC功率模块）预估将年增59.5%至1,206亿日元，2030年预估将扩大至9,694亿日元，将较2021年暴增11.8倍；2022年GaN功率半导体市场规模预估将年增21.9%至39亿日元，2030年预估将扩大至305亿日元，将较2021年暴增8.5倍；2022年氧化镓功率半导体市场规模预估为3亿日元，2030年有望扩大至470亿日元。
（首图来源：富士电机）