美商内存大厂美光（Micron）宣布，全球首款232层堆栈NAND Flash闪存已正式量产。其具备业界最高的单位存储密度（areal density），并提供与前几代NAND相比更高的容量和更佳的能源效率，能提供从最终用户到云计算之间大部分数据密集型应用最佳支持。
美光技术与产品执行副总裁Scott DeBoer表示，美光的232层堆栈NAND Flash闪存作为存储设备创新的分水岭，证明了美光具有将3D NAND Flash扩展到200层以上堆栈的制造能力。这项开创性的技术涵盖诸多层面的创新，包括创建高深宽比结构的先进制程能力、新型材料的开发，以及针对美光独步业界的176层堆栈NAND Flash闪存技术所进行的设计改进。
美光指出，随着全球数据量持续攀升，存储容量和性能的提升势在必行。而美光的232层堆栈NAND Flash闪存技术不仅具备必要的高性能存储，可以支持数据中心和汽车应用所需的先进解决方案和即时服务，也能提供移动设备、消费性电子产品和个人计算机所需的回应速度及沉浸式体验。
此外，该技术节点达到了如今业界最快的NAND I/O速度：2.4 GB/s，将满足以数据为中心的工作负载（如人工智能、机器学习、非结构化数据库和实时分析、云计算等）的低延迟和高传输量需求，相较美光176层堆栈NAND Flash闪存制程节点所提供最高速的接口数据传输速度快50%。另外，美光232层堆栈NAND Flash闪存的每晶粒写入带宽提高100%，读取带宽也增加超过75%，这些优势将进一步强化SSD和嵌入式NAND解决方案的性能和能源效率。
此外，美光232层堆栈NAND Flash闪存引进全球首款六平面（6-Plane）TLC生产型NAND Flash，是所有TLC闪存中每晶粒拥有最多平面的产品，且每个平面都有独立的读取能力。杰出的I/O速度和读写延迟表现，结合美光的六平面架构的结合，将实现许多配置的最佳资料传输能力。此架构可以减少读写命令之间的冲突，进而改善系统级服务品质。
美光的232层堆栈NAND Flash闪存也是首款在生产中支持NV-LPDDR4的产品，此低电压接口与过去的I/O接口相比可节省每位元传输超过30%，因此，232层堆栈NAND Flash闪存解决方案得以为在提高性能和低功耗之间力求平衡的移动应用、数据中心、智能边缘的部署提供理想的后援。该接口也向下兼容，支持旧款控制器和系统。
232层堆栈NAND Flash闪存的精巧外形不仅赋给客户在设计上的弹性，也实现了有史以来最高的TLC密度（14.6 Gb/mm2），其单位存储密度较目前市场上的TLC竞品相比高出35%至100%。此外，还采用媲美光前几代产品小28%的新封装尺寸，11.5mm×13.5mm的封装使其成为目前最小的高密度NAND，而在更小的空间内实现更高的容量也有助于大幅降低应用时所占据的主板空间。
当前，美光的232层堆栈NAND Flash闪存目前正在新加坡芯片厂量产，会优先以封装颗粒形式及通过美光Crucial SSD消费性产品系列向客户出货。
(首图来源：美光)