台湾台积电预计下半年量产3纳米芯片，死敌三星电子（Samsung Electronics）弯道超车，于6月底宣布量产，进度超越其他竞争对手。25日，三星高调举办首批3纳米芯片出货仪式，并骄傲称该公司在全球先进芯片制程竞赛中，率先取得重要里程碑。
韩联社报道，三星首批3纳米芯片已完成生产，并于25日在韩国华城园区厂举行出货仪式，主管芯片代工业务的三星电子设备解决方案（DS）部门主管庆桂显（Kye Hyun Kyung）亲自出席，韩国产业通商资源部部长李昌洋（Lee Chang-yang）也现身力挺，并承诺将不遗余力地支持半导体业发展，表达韩国政府对此事的重视。
三星并未公布首批3纳米芯片的客户，引发外界好奇。据《日经亚洲》（Nikkei Asia）日前透露，中国加密货币矿机厂商为买家之一，但报道指出，近期加密货币价格崩跌，从长远来看，矿机企业难以作为可靠的长期客户。
三星采用环绕闸极技术（GAA）架构的3纳米制程。根据三星说法，与台积电目前使用的鳍式场效晶体管（FinFET）架构制程相比，芯片面积减少35%，性能提升30%，功耗降低50%。
（首图来源：三星）