抗三星守市场占有率,铠侠盖新厂增产3D NAND Flash

对抗三星电子、守护市场占有率,全球NAND型闪存(Flash Memory)大厂铠侠(Kioxia、旧称东芝内存)将兴建新厂房,增产3D NAND Flash产品。

铠侠23日宣布,为了扩张3D NAND Flash“BiCS FLASH”产能,计划在“北上工厂”(岩手县北上市)兴建的第2厂房(K2)将在2022年4月动工、预计2023年完工。铠侠表示,将和合作伙伴西部数据(Western Digital)进行协商,对K2厂房进行共同投资。

铠侠表示,随着云计算服务、5G、IoT、人工智能(AI)、自动驾驶、元宇宙普及,NAND Flash市场中长期需求看好,因此计划借由K2厂房的兴建,扩大最先进NAND Flash的生产,抢攻需求。

铠侠指出,K2厂房将位于2020年上半年开始进行生产的第1厂房(K1)的东侧,将采用免震结构,且将导入最新的节能设备、活用再生能源,并将导入活用AI的生产系统,提升北上工厂整体生产力以及NAND Flash产品品质。

据日媒指出,上述K2厂房的投资额达约1万亿日元。彭博社23日报道,铠侠会长Stacy J.Smith接受专访表示,“(盖K2厂的)目标是在这个市场上对抗三星电子,守护市场占有率”。

截至日本股市早盘收盘(上午10点30分)为止,持有铠侠约4成股权的东芝大涨2.48%,暂收4,758日元。

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