2022下半年将量产8英寸基板,至2025年第三类功率半导体CAGR达48%

目前最具发展潜力的材料即为具备高功率及高频率特性的宽能隙(Wide Band Gap;WBG)半导体,包含碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN),主要应用大宗为电动汽车、快充市场。据TrendForce研究推测估计,第三类功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元,至2025年将增长CAGR至47.1亿美元,年复合增长率达48%。

SiC适合高功率应用,如储能、风电、太阳能、电动汽车、新能源车等对电池系统具高度要求的产业。其中,电动汽车备受市场关注,不过目前市售电动汽车所搭载的功率半导体多数为硅基材料(Si base),如Si IGBT、Si MOSFET,但由于电动汽车电池动力系统逐步往800V以上的高电压发展,相较于Si,SiC在高压的系统中有更好的性能体现,有望逐步替代部分Si base设计,大幅提高汽车性能并优化整车架构,预估SiC功率半导体至2025年可达33.9亿美元。

GaN适合高频率应用,包括通信设备,以及用于手机、平板、笔记本的快充。相较于传统快充,GaN快充拥有更大的功率密度,故充电速度更快,且体积更小便于携带,吸引不少OEM、ODM企业加入而开始高速发展,预估GaN功率半导体至2025年可达13.2亿美元。

TrendForce特别提到,相较传统Si base,第三类功率半导体基板制造难度较高且成本较为昂贵,目前在各大基板供应商的开发下,包括Wolfspeed、II- VI、Qromis等企业陆续扩张产能,并将在2022下半年量产8英寸基板,预期第三类功率半导体未来几年产值仍有增长的空间。

(首图来源:shutterstock)

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