内存厂看后市:NAND比DRAM更紧,Q3入旺季

内存市况在诸多不利因素远离,又加上铠侠与西部数据污染事件影响市场短期供需失衡,整体内存市况将于第二季起迈向正向循环,内存大厂也陆续发布对后市看法,整体产业落底趋势确立,尤其NAND Flash供需更紧,两大内存报价反转向上,第三季则进入传统旺季,延续动能。

威刚:NAND 3至5月最吃紧

威刚董事长陈立白指出,铠侠与西部数据的工厂产线受污染事件后,让内存空头已提前结束。以生产时序推测估计,NAND Flash供货将会在3月至5月最为吃紧,在市场预期心理带动下,2月下旬的NAND Flash现货价已明显走扬。随着现货价站稳脚步,预估两大内存合约价也将在本季落底,第二季开始回温,稳步向上发展。

DRAM部分,半导体供应链长短料问题正逐步纾解,加上DRAM现货价自去年12月开始止跌回升,已维持近一个季度的稳健走势,客户对DRAM备货也转为积极正面。

宇瞻:DRAM涨势蠢动,NAND Q2大幅供不应求

宇瞻认为,DRAM上涨力道已在蠢动,主要来自智能手机、消费电子和服务器以及PC,但因DRAM不是短料,在长短料的不平衡下,内存常常是最后一秒才拉货,客户动态变化很大,目前长短料状况改善中,估下半年短料转顺畅,需求会浮现,尤其组装系统的买家通常会在最后才采购内存,但价格微幅上升时客人就会回头购买。

至于在NAND Flash部分,因污染事件第二季后将转为大幅供不应求,直接的缺货发生在4~5月,Flash会很快价格上涨,第三季迎季节性旺季来临,第四季才会缓跌。

群联:NAND Q2供不应求,加强备库存

群联认为,铠侠/西部数据污染事件,影响NAND Flash生产进程约4~5个月(Wafer in到封装测试完成),原厂已于3月3日公告全线恢复产能,期间共计约6星期,未污染的产品预计3月进入市场,惟因产线停工约6星期,4月应就会影响供给输出,届时将出现供给缺口,影响时间点落在4~6月,预期第二季将有供不应求的状况,而群联于去年第四季到今年第一季持续积极备库存,预计在5月底到6月初可供应客户需求。

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