DRAM、Nand Flash Q2-Q3迎涨势,企业回头补库存

内存价格提前落底反弹,尤其是Nand Flash在西部数据(WD) / 铠侠事件后,传出上半年即会出现缺货潮,DRAM现货价格则在去年底开始上涨,合约价也酝酿反弹,接下来第三季则走向季节性旺季,因涨价的时间点提早,本来企业第一季还在慢慢消化库存,目前则转为回头补库存,以备客户需求。

去年下半年因内存价格从高点反转,导致手上有一堆库存的内存模块厂商被烫到,所以自第三季、第四季都是以出清库存为策略,先将库存转为现金,但在WD / 铠侠半导体污染事件后,据研调机构预估,第二季Nand Flash即会转为供不应求,且影响恐怕到下半年,所以厂商手上的货是否充足即相当重要。

相关的内存模块厂商包括威刚、创见、宇瞻、群联、十铨、品安、商丞等等。

在DRAM部分,现货价在去年底到今年农历年前、年后都是上涨走势,虽然并非是反映实质需求,但上游在酝酿涨价中,上涨力道已在蠢动,市场原预估合约价第二季仍是跌势,但目前有望提早反弹。

至于支撑DRAM的力道部分,主要来自智能手机、消费电子和服务器以及PC,其中又以服务器一直维持强劲的需求,而且服务器客户对内存的价格敏感度不大,涨价也是有需求支撑,其他的应用则较为平稳。

但除了终端需求外,DRAM拉货动能的启动也是要观察长短料的状况,因为DRAM非短料,目前主要缺货的短料包括PMIC、机箱,在长短料的不平衡下,内存通常客户是最后一秒拉的货,所以客户动态改变很大,若短料的问题解决,客户对DRAM的拉货将会实质启动。

在Nand Flash部分,在WD/铠侠事件后,企业预估,可能会影响约一季的生产,在3月盘点库存后,4月进行配货,Nand Flash在第二季后将转为大幅供不应求,上半年缺货,企业评估,本来今年Nand Flash位元增长率约30%多,现在估降至25-30%,事件将影响延续到下半年。

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