内存价格提前落底反弹，尤其是Nand Flash在西部数据（WD） / 铠侠事件后，传出上半年即会出现缺货潮，DRAM现货价格则在去年底开始上涨，合约价也酝酿反弹，接下来第三季则走向季节性旺季，因涨价的时间点提早，本来企业第一季还在慢慢消化库存，目前则转为回头补库存，以备客户需求。
去年下半年因内存价格从高点反转，导致手上有一堆库存的内存模块厂商被烫到，所以自第三季、第四季都是以出清库存为策略，先将库存转为现金，但在WD / 铠侠半导体污染事件后，据研调机构预估，第二季Nand Flash即会转为供不应求，且影响恐怕到下半年，所以厂商手上的货是否充足即相当重要。
相关的内存模块厂商包括威刚、创见、宇瞻、群联、十铨、品安、商丞等等。
在DRAM部分，现货价在去年底到今年农历年前、年后都是上涨走势，虽然并非是反映实质需求，但上游在酝酿涨价中，上涨力道已在蠢动，市场原预估合约价第二季仍是跌势，但目前有望提早反弹。
至于支撑DRAM的力道部分，主要来自智能手机、消费电子和服务器以及PC，其中又以服务器一直维持强劲的需求，而且服务器客户对内存的价格敏感度不大，涨价也是有需求支撑，其他的应用则较为平稳。
但除了终端需求外，DRAM拉货动能的启动也是要观察长短料的状况，因为DRAM非短料，目前主要缺货的短料包括PMIC、机箱，在长短料的不平衡下，内存通常客户是最后一秒拉的货，所以客户动态改变很大，若短料的问题解决，客户对DRAM的拉货将会实质启动。
在Nand Flash部分，在WD/铠侠事件后，企业预估，可能会影响约一季的生产，在3月盘点库存后，4月进行配货，Nand Flash在第二季后将转为大幅供不应求，上半年缺货，企业评估，本来今年Nand Flash位元增长率约30%多，现在估降至25-30%，事件将影响延续到下半年。