工研院与加州大学洛杉矶分校合作,开发电压控制式磁性内存

5G、AI人工智能正在驱动半导体产业增长趋势,随着芯片体积越来越小,高速、高性能的磁性内存(MRAM)技术已成为主流。近日工研院与美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)合作开发“电压控制式磁性内存(VC-MRAM)”,有望减少近百倍能耗、提升超过十倍速度。

为研发更快、更稳、不失忆的新时代内存,工研院多年前就开始深耕磁性内存(Magnetic Random Access Memory,MRAM)技术,陆续投入自旋霍尔式磁性内存(Spin Orbit Torque MRAM,SOT-MRAM)等研究,成功开发出先进磁性内存,相关成果也逐步落地产业。

如今这些研发基础吸引了UCLA与工研院合作,开发电压控制式磁性内存(Voltage Control Magnetic RAM,VC-MRAM)。与SOT MRAM相比,VC-MRAM具有更快的写入速度(缩短50%)、读写能耗更低(减少75%)等特性,非常适合AIoT及汽车芯片应用需求。

工研院电光系统所所长吴志毅指出,随着AI人工智能、5G时代来临,快速处理大量资料的需求暴增,半导体企业开始寻求成本更佳、速度更快、性能更好的解决方案。由于MRAM拥有与静态随机访问内存(Static Random Access Memory,SRAM)相当的写入、读取速度,还兼具节能特色,近年来已成为半导体先进制程、下时代内存与运算新星。

随着VC-MRAM技术加强,工研院希望推进相关材料组件,2023年初能展现世界顶尖技术,带来下时代内存里程碑。

(首图来源:工研院)

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