三星预计最快年底推出200层堆栈以上NAND Flash闪存

外媒报道,全球半导体企业为了先量产200层堆栈以上NAND Flash闪存,展开激烈竞争。韩国三星计划2022年底或2023上半年推出200层堆栈以上NAND Flash内存,2023上半年开始量产供应市场。

韩国媒体《BusinessKorea》报道,三星电子原计划2021年底量产176层堆栈NAND Flash闪存,但考虑到那时市况,最后决定延后到2022年第一季。但美商内存大厂美光抢先量产176层堆栈NAND Flash闪存,市场人士预测,三星将加速200层堆栈以上NAND Flash闪存量产步伐,以夺回美光抢走的技术领先头衔。

三星预计128层堆栈单片内存上再叠96层,共推出224层NAND Flash闪存。产品推出后与176层堆栈产品相较,224层堆栈NAND Flash闪存生产效率和数据传输速度可提高30%。

目前除了三星积极布局200层堆栈以上NAND Flash闪存,其他还有美光和韩国内存大厂SK海力士,也在加速200层以上NAND Flash闪存开发,预计将是另一个NAND Flash闪存的决战领域。

(首图来源:三星)

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