东芝:将借12英寸芯片制造设施扩大功率芯片产能

东芝电子组件及存储设备公司(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)4日宣布,将在日本石川县的主要离散芯片生产基地(加贺东芝电子公司)打造一座新12英寸芯片制造设施,扩大功率半导体产能。

东芝表示,12英寸芯片制造设施(100%使用再生能源)建造将分两个阶段进行,以便根据市场趋势优化投资步伐,第一阶段生产计划将于2024会计年度内启动。

东芝表示,一旦第一阶段产能满负荷,旗下功率半导体产能将是2021年度2.5倍。

功率设备是管理和降低各种电子设备功耗以及实现碳中和社会的不可或缺组件,当前需求因车辆电气化(电动汽车)和工业设备自动化而扩张,低压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)等设备需求非常强劲。

截至目前,东芝通过提高8英寸芯片生产线产能并将12英寸芯片制造设施生产线投产时间自2023年度上半年提前至2022年度下半年,满足持续扩张需求。

东芝电子组件及存储设备公司半导体部门副总裁Takeshi Kamebuchi形容,若将芯片比喻成身体部位,处理器和内存就是大脑,电源管理芯片扮演心脏和肌肉。

日经亚洲评论今日报道,东芝斥资约1,000亿日元(8.73亿美元)打造功率半导体芯片制造设施,预计2025年3月投产。

英国研究公司Omdia指出,2027年全球电源芯片市场产值预估将达290亿美元,几乎较2020年增加一倍。瑞萨电子(Renesas Electronics)、东芝分别拥有全球电源芯片市场20%、6%市场占有率。

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