《韩国经济日报》报道，处理器大厂英特尔 (intel) 披露与微影技术与曝光机大厂艾司摩尔 (ASML) 最新半导体曝光机交易后，引起质疑。
19日英特尔宣布向ASML下订业界首部新一代极紫外光曝光机 (EUV) TWINSCAN EXE:5200，显示两家公司将加强技术合作。声明指出，购买新一代EUV曝光设备，可使芯片制造速率达每小时超过200片，是英特尔发展先进半导体制程计划的重要一环。
英特尔下订EUV曝光设备比台积电3纳米制程EUV曝光设备更先进，韩国市场人士分析，英特尔可能会使用这些新曝光设备于更先进2纳米制程。
2021年3月英特尔宣布IDM 2.0计划，重返全球芯片代工市场，并挑战领先厂商台积电与三星。英特尔除了将在亚利桑那州兴建两座新芯片厂，最新消息是斥资200亿美元，在俄亥俄州兴建芯片厂，最快2025年投产。
除了兴建芯片厂，英特尔还宣布半导体先进制程发展计划，目标2024年进入1.8纳米先进制程。报引导用韩国市场人士说法，表示英特尔先进制程的脚步，似乎有些勉强，英特尔不寻常宣布与ASML的最新交易，目的是降低市场对英特尔技术质疑的压力，而是否如此有待观察。
(首图来源：Flickr/JiahuiHCC by 2.0)