汉磊6英寸SiC产能满负荷!首度表态进军8英寸制程

SEMICON Taiwan2021国际半导体展登场,汉磊由于6英寸碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)产能满负荷,首度表态将进入8英寸SiC制程,预期8英寸SiC基板成本将大幅减少二至三成,获利会更棒,进一步扩大运营动能。

汉磊目前6英寸SiC、GaN月产能各约1000片,明年SiC产能将大幅提升,GaN也将扩展至2000片,汉磊营销业务中心副总经理张载良表示,目前6英寸SiC产能持续满负荷,未来扩展的产能,增长动能集中在车用与太阳能。

汉磊首度表态将进入8英寸SiC制程,张载良指出,随着全球SiC芯片龙头厂Wolfspeed大举扩产,相关产能将大增30倍,台湾、中国诸多厂商加入化合物半导体行列,预估未来8英寸基板成本有望减少二至三成,汉磊也不会缺席8英寸SiC领域。

法人表示,受益电动汽车的投资扩大,带动相关电池、第三代半导体周边供应链的需求大增,持续看好汉磊2022年的运营,并由于产品组合优化,毛利率将增长,包括化合物半导体、暂态电压抑制器、快速回复二极管、车用MOSFET四大业务将在明年占营收比重至60~70%。

(首图来源:Background photo created by xb100)