在加州举办的IEDM 2021国际电子组件会议中，IBM和Samsung宣布，在半导体设计方面有重大进展，可让芯片垂直堆栈。新的垂直传输场效晶体管（VTFET）设计旨在取代当前用于当今一些最先进的FinFET技术，并允许芯片比现在的晶体管排列得更密集。从本质上，新设计将垂直堆栈晶体管，允许电流在晶体管堆栈中上下流动，而不是目前大多数芯片上使用的左右水平布局。
相对传统晶体管以水平方式堆栈形式设计，垂直传输场效晶体管能增加晶体管数量，运算速度可提升2倍。受益于垂直设计，能让电流更易通过，电力损耗可降低85%。
按新设计推算，手机充电一次，可使用长达一周。唯现在IBM和Samsung仍未透露何时将新技术应用至产品上，预期将会有进一步消息。
来源：The Verge