抢攻电动汽车（EV）商机、日厂忙增产EV用次世代半导体“碳化硅（SiC）功率半导体”，其中东芝（Toshiba）传出计划将产量扩张至10倍。
日经新闻3日报道，因看好来自电动汽车（EV）的需求将扩大，也让东芝（Toshiba）、罗沐（Rohm）等日本厂商开始相继增产节能性能提升的EV用次世代半导体。各家日厂增产的对象为用来供应\控制电力的“功率半导体”产品，不过使用的材料不是现行主流的硅（Si）、而是采用了碳化硅（SiC）。SiC功率半导体使用于EV逆变器上的话，耗电力可缩减5~8%、可提升续航距离，目前特斯拉（Tesla）和中国车厂已开始在部分车款上使用SiC功率半导体。
报道指出，因看好来自EV的需求有望呈现急速扩大，东芝半导体业务子公司“东芝电子组件及存储设备（Toshiba Electronic Devices & Storage）”计划在2023年度将旗下姬路半导体工厂的SiC功率半导体产量扩张至2020年度的3倍、之后计划在2025年度进一步扩张至10倍，目标最迟在2030年度取得全球一成以上市场占有率。
另外，罗沐将投资500亿日元、目标在2025年之前将SiC功率半导体产能提高至现行的5倍以上。罗沐位于福冈县筑后市的工厂内已盖好SiC新厂房、目标2022年激活，中国吉利汽车的EV已决定采用罗沐的SiC功率半导体产品，而罗沐目标在早期内将全球市场占有率自现行的近两成提高至三成。
富士电机考虑将SiC功率半导体开始生产的时间自原先计划（2025年）提前半年到1年。