联电与美激光雷完成和解协议!和解金额保密

联电和美光今日宣布完成全球和解协议,双方将各自撤回诉讼,同时联电将支付美光金额保密的和解金,双方将共创商业合作机会。

联电无法透露支付多少和解金,但据悉不会对财务造成影响。不过去年10月28日,联电认罪窃取美光商业机密一案,遭美国司法部处以6,000万美元罚金。

联电当时指出,和解协议中美国司法部同意撤销对联电包括共谋实施经济间谍活动、共谋窃取多项美光营业秘密和专利有关等指控。联电承认侵害一项营业秘密,同意支付美国政府6,000万美元罚金,并3年自主管理缓刑期间与司法部合作。

联电、美光缠讼始末

此案是源自于2016年5月,联电与福建晋华签署合作协议,共同开发两代动态随机访问内存 (DRAM) 制程。协议开发的DRAM制程并非最新技术,而是与2012年量产技术相似的旧技术。

然而三位参与DRAM合作项目的台湾美光前员工,违反与联电签订的雇佣合约与声明书,携带前公司信息进入联电并工作时参考,又将机密资料转给晋华,台湾美光因此控告联电,同年又在美国对联电、晋华提起诉讼,所以美国司法部开始调查。

今日声明提到,美光科技为创新内存和存储空间解决方案的业界领导者,拥有超过40年技术引领与创新经验及总数超过47,000件的全球专利,积极大幅投资先进研发及制造,持续推动对于数据经济至关重要的各项创新,对知识产权权的保护则是公司保持竞争力的重要基石。

联电为半导体芯片专工业的全球领导者之一,专注于逻辑及特殊技术,为跨越电子行业的各项主要应用提供高品质的芯片制造服务。现在共有12座芯片厂,月产能总计约80万片8英寸约当芯片。在各领域提供有竞争力产品及服务之际,将持续落实并优化有关营业秘密之保护与防免的政策与措施。

(首图来源:联电)