三星:2026年芯片产能扩三倍,3纳米明年上半投产

三星电子(Samsung Electronics)周四(28日)宣布,到了2026年芯片代工产能计划拉高三倍。

日经亚洲评论报道,三星高层Han Seung-hoon 28日在财报电话会议上表示,2026年产能计划扩展三倍,不但会扩张位于平泽市的生产线,也许还会前往美国打造一座全新芯片厂,尽量满足客户需求。

三星并重申,预定明(2022)年上半年为客户生产旗下第一代3纳米制程芯片,而第二代3纳米芯片则预计2023年出炉。Han表示,芯片代工业务将借由3纳米GTA制程拿下技术领先地位,大幅改善业绩表现。

Daishin Securities分析师Lee Su-bin表示,三星通过稳定平台支持客户,拥有一个互助合作的生态体系。他说,三星的客户数量正在大幅增加,今年已超过100家,远高于2017年的35家。他预测到了2026年,三星客户将超过300家。

韩联社报道,三星的芯片代工业务Q3盈余呈现季增,主要是拜赢得新订单之赐。

亚洲国际新闻(ANI News)报道,三星副董事长金奇南(Kim Ki-nam)26日参加2021年韩国电子展(Korea Electronics Show,KES)后表示,关于赴美设立芯片厂的相关事宜,日期尚未确定,有许多事情需要考量。

金奇南说,三星需要花时间查看像是基础建设、地点、人事、州政府奖励政策等许多因素,会尽快做出决定。