第三代半导体最近成为热门话题，其中一个关键半导体材料“碳化硅”（SiC），有助于延长电动汽车续航力，在未来脱碳方面也扮演着重要角色，各家厂商也对专利竞争激烈。
根据日经报道，目前这项技术主要由美、日厂商主导，专利数量占据前五名，获得最多的是美企Wolfspeed（前身为CREE），之后全由日企拿下，日本芯片制造商Rohm拿下第二名，之后依次是住友电工、三菱电机和Denso。
SiC比芯片产业主流材料“硅”（silicon）更硬，性能更稳定，能负荷更高压、高频的电流，还有助于节能，加上特斯拉率先将SiC芯片用在量产车上，有助于推动对SiC材料的需求，并且在电动汽车或太阳能产业等领域更加普及。
日本研究公司Patent Result排名是根据2021年7月29日前在美国颁发的专利数量，再将数量和受关注程度换算成分数。
Patent Result分析，Wolfspeed在SiC领域中竞争力最强、专利最多，优势在SiC基板和磊晶技术；Rohm和Denso优势是减少电力损失；住友电工专长在SiC结晶结构；三菱电机则是在半导体设备的结构方面拥有雄厚实力。
（首图来源：Unsplash）