台积电美国市场竞争对手到齐,英特尔9/24举行新芯片厂动土

处理器龙头英特尔 (intel) 官方消息,日前宣布将在美国亚利桑那州兴建的两座新芯片厂,预计24日举行动土奠基仪式,届时英特尔首席执行官Pat Gelsinger将亲自出席。

英特尔3月举办主题为“英特尔发力:以工程技术创未来”的全球直播活动,Pat Gelsinger分享IDM 2.0愿景,阐述如何通过制造、设计和运交产品,为利益相关的对象创造长期价值的未来路径,英特尔称为IDM模式的重大革新。为了加速实现IDM 2.0计划,英特尔宣布扩大产能,投资约200亿美元于亚利桑那州Octillo园区兴建两座新芯片厂。

经过半年准备,英特尔正式宣布9月24日举行新芯片厂建造动土奠基仪式,Pat Gelsinger将与主要政府官员出席,将是美国亚利桑那州史上最大规模的私人企业投资计划。英特尔表示,凭着IDM 2.0策略,英特尔致力投资制造能力,以支持全球对半导体大幅增长的需求。公司最近宣布计划在亚利桑那州Ocotillo园区建造两座新先进制程芯片厂,将支持英特尔产品不断扩大的需求,并为代工客户提供承诺的产能。

因为呼应美国拜登政府要让半导体制造重返美国的计划,2020年芯片代工龙头台积电就领先宣布,预计在美国亚利桑那州凤凰城斥资120亿美元兴建以5纳米制程为主的芯片厂。台积电日前指出,目前该厂已进入动土施工阶段,而相关员工也来台积电极进行训练其中,而依照规划进程,该厂将在2024年开始进行大规模的量产。

而除了台积电之外,竞争对手韩国三星也传出预计在美国兴建第二座芯片厂的消息,新厂地点将落脚美国德州三星第一座芯片厂的附近,预计斥资170亿美元的金额。另外,该厂的最新市场消息,三星将导入闸极全环晶体管(Gate-all-around,GAA)技术,并自2026年开始进一步量产,企图以技术填补量产时间的落后,企图弯道超车台积电。

如今随着英特尔于24日将举行新芯片厂动土奠基典礼,则象征着目前全球有能力进行先进制程生产的芯片代工厂全都汇集美国当地,这除了将能有效的支应市场需求之外,针对先时代的制程竞争也变得更加剧烈。因此,台积电能否持续占有强大的市场优势,英特尔与三星则能否有机会进一步攻城掠地,仍就是市场所瞩目的焦点,也有待后续观察发展状况。

(首图来源:英特尔)

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