台积电积极打造创新的3D Fabric先进封测制造基地，将由紧密连接的3座厂房所组成，其中SoIC厂房将于今年导入机台，另一2.5D先进封装厂房预计明年完成。
台积电先进封装技术暨服务副总经理廖德堆今天在国际半导体产业协会（SEMI）举办的线上高科技智能制造论坛，演讲先进封装技术智能制造的革新。
他表示，随着先进制程技术朝3纳米或以下推进时，具有先进封装的小芯片概念已成为必要的解决方案。台积电2020年制程技术已发展至5纳米，预计在2022年完成5纳米的SoIC开发。
为达到先进小芯片封装制造的上市时间、量产和良率的目标，台积电正打造创新的3D Fabric先进封测制造基地，将采全自动化。
廖德堆说，台积电的3D Fabric先进封测制造基地包括先进测试、SoIC和2.5D先进封装（InFO、CoWoS）厂房；其中的SoIC厂房将于今年导入机台，2.5D先进封装厂房预计明年完成。
廖德堆表示，台积电已构建完整的3D Fabric生态系统，包含基板、内存、封装设备、材料等。他强调，台积电主要提供客户的价值是上市时间及品质。
（首图来源：shutterstock）